एक p-n जंक्शन की जंक्शन धारिता ________ पर निर्भर करती है।

एक डायोड में दो अलग-अलग धारिता अर्थात् जंक्शन धारिता और विसरण धारिता हो सकती है।

जंक्शन धारिता​:

यह प्रमुख है जब डायोड पश्च अभिनत है और अवक्षय परत में संग्रहीत आवेश का परिणाम है।

जंक्शन धारिता निम्न सूत्र द्वारा दी गई है:

\({C_j} = \frac{{A\epsilon}}{W}\) --- (1)

W = अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई इस प्रकार है:

\(W= \sqrt {\frac{{2\epsilon_s(V_{bi}-V_a)(N_a+N_d)}}{N_aN_d}} \) --- (2)

Va = लागू वोल्टेज

Na और Nd क्रमशः स्वीकर्ता और दाता अपमिश्रण सांद्रता हैं।

उपरोक्त समीकरण (1) में प्रतिस्थापित करने पर, हम प्राप्त करते हैं:

\(C=\frac{A\epsilon}{ \sqrt {\frac{{2\epsilon_s(V_{bi}-V_a)(N_a+N_d)}}{N_aN_d}} }\)

\(C=\sqrt {\frac{{{A^2\epsilon_s}{N_A}{N_D}}}{{2\left( {{V_{bi}} - {V_a}} \right)\left( {{N_A} + {N_D}} \right)}}} \)

∴ एक p-n जंक्शन की जंक्शन धारिता अपमिश्रण सांद्रता और लागू वोल्टेज दोनों पर निर्भर करती है।

विसरण धारिता​​:

डायोड अग्रगामी होने पर यह प्रमुख है और अग्र अभिनत होने पर संग्रहण आवेश का परिणाम है

विसरण धारिता निम्न सूत्र द्वारा दी गई है:

\({C_d} = \frac{{{I_{DQ}}\times\tau }}{{\eta {V_T}}}\)

IDQ = डायोड की निष्क्रिय धारा।

τ = अल्पसंख्यक वाहक जीवनकाल

VT = तापीय वोल्टेज

η = स्थिरांक = 2 ​​सिलिकॉन के लिए और 1 जर्मेनियम के लिए